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Q6的Vgs=0,按理说Q6不可能导通,那么单独的可能就是Q6有较大的漏电流。从Si2309的Datasheet中仍然看不出问题,索性将Si2309更换为Si2305,同样是一颗PMOS,出现于TI的TPS23754 802.3at PD解决方案中,Si2305的典型特征是很高的工作电压,可以达到-150V。
将Q3,Q6均更换为Si2305,PIN Diode射频开关SKY12207-478LF终于可以正常工作了。在这次调试设计与调试过程中,无线时代充分融合了各个电路模块的设计调试经验,采用与DCDC类似的驱动电路,并使用了PoE电路中的高压MOS管,较终实现了对PIN Diode射频开关的驱动。
在后来的研究中,发现有很多现成的PIN Diode开关驱动芯片,也有采用分立元件的方法,有兴趣的读者可以研究研究。PIN二极管是在两种半导体之间的PN结,或者半导体与金属之间的结的邻近区域,吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。普通的二极管由PN结组成。
在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层,组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN 二极管。加负电压(或零偏压)时,PIN管等效为电容+电阻;加正电压时,PIN管等效为小电阻。用改变结构尺寸及选择PIN二极管参数的方法。
使短路的阶梯脊波导的反射相位(基准相位)与加正电压的PIN管控制的短路波导的反射相位相同。还要求加负电压(或0偏置)的PIN管控制的短路波导的反射相位与标准相位相反(-164°~+164°之间即可)。一是N-MOS在应该截止的时刻意外导通,二是Si2309的Vgs**过了其非常大的承受范围。
当系统处于接收状态时,RX_EN应为逻辑1,TX_EN应为逻辑0,按照正常计算,当TX_EN为逻辑1时,A7导通,Q6的Vgs=28*(1/11 – 1)= -24.5V,**出了Si2309 Datasheet中+-20V的范围。实际测试时,一件意想不到的事情发生了,TX_EN为逻辑0时,实际的电压值时0.7V。
而这小小的0.7V竟然令Q7导通了,这与Si2309中所描述的天壤之别,如下图,当Vgs为0.7V时,Id应为0,Si2309应处于截止状态,而实际并非如此。无奈之际,我想到了三极管,FMMT493TC是一颗用在TPS2379参考设计中的高压NPN三极管,其工作电压大于100V,Ic更可以达到1A。
完全可以符合这个PIN Diode驱动电路的要求。如前所述,逻辑0是有0.7V左右的电压,如果直接加在FMMT493TC,一定会使其导通,于是采用分压的方法提供基较偏置电压。较终调整完成的原理图如下(其中No Load即为不贴装),经过长期测试,不再出现异常。通常RF系统中有许多输入输出的端口。
用多端口网络分析仪分析散射特性价格比较昂贵。所以一般要用开关对多输入多输出的信号进行切换,然后用比较简单的二端口网络分析仪进行分析测量。在核磁共振系统中,一般接收系统的通道个数小于天线线圈的个数,所以多路线圈也要应用开关进行切换选择。目**般的设计中用现成的开关芯片实现切换功能。
但是大多数的开关芯片可靠性不好,容易损坏,而且供电线路也比较复杂。例如SW-437芯片虽然可以完成简单的开关功能,但是它对防静电要求非常高,一般的实验室和生产车间的条件很难达到厂家的要求,所以实际应用起来很不方便,容易损坏。在本设计中,设计了一种新型的应用pin diodes的射频开关转换电路。
实现的功能是4路RF输入信号选择其中任意2路RF信号输出。开关将应用于此共振的测试系统,它基于LabView软件平台,由计算机提供给电压控制信号。该控制信号是数字信号,只能提供高低电平,高电压为 5V,低电压为0V,因此需要进行电压转换才能提供给开关电路。整个电路由两部分组成。