上海AS179-92LF/CKRF2179MM26厂家-深圳同禄德鑫

深圳同禄德鑫主营产品有:低噪放LNA,低噪音放大器LNA,射频芯片SX1278IMLTRT,射频开关CKRF6163XS03-C2，LNA CKRF3509MM34-C2B等多种型号电子元器件,经过多年的发展,市场主要负责地区有：深圳,华南,广东及全国地区。公司业务范围已覆盖无线、蓝牙、音频、智能抄表、智能家居、门禁系统等领域,是工业类、消费类电子产品生产厂家的供应商。

卫星功率有限，因此它们使用低功率发射机。毕竟，发射机距离很遥远并且容易遭受损耗。低噪声放大器可增强天线信号，以补偿从（室外）天线到（室内）接收器的馈线损耗。在许多卫星接收系统中，低噪声放大器包括频率块下变频器，该变频器将具有较大馈线损耗的卫星下行链路频率。

（例如11GHz）转换为具有较低馈线损耗的较低频率（例如1GHz）。具有下变频器的低噪声放大器称为低噪声模块下变频器（LNB）。随着 5G 无线网络不断发展，无线电前端的性能在射频接收器信号路径中扮演着越来越关键的角色，对于低噪声放大器 (LNA) 尤其如此。

随着适用于 LNA 的新型工艺技术（例如硅锗 (SiGe)、砷化镓 (GaAs) 和绝缘硅片 (SOI)）的出现，设计人员必须重新评估 LNA 参数（例如噪声、灵敏度、带宽和功率）的性能权衡，以便有效地使用这些工艺技术。前端的重要性无论怎样强调都不过分，因为它在很大程度上决定了系统在弱信号情况下的非常终性能以及可实现的误码率。

如果 LNA 的性能不合要求，为满足 5G 性能要求而在电路和接收通道管理方面做出的其余设计努力都将收效甚微。将讨论 5G 的现状及其对 LNA 性能的要求。随后，本文将介绍采用非常新工艺并有助于满足这些要求的解决方案，以及如何充分利用这些解决方案。任重道远，但已迈出坚实的步伐。

尽管 5G 的规格已经非常终敲定，但仍在逐步完善中。5G 很多令人向往的特性尚待定夺，还需要更多的会议探讨和现场试验，并征求元器件供应商和无线运营商的意见。不过，一些问题已经昭然若揭：5G 设计将会占用新的电磁波谱块，但一些初始实施仍将低于 6 千兆赫 (GHz)。大多数 5G 系统将在毫米波频带运行。

在美国可使用 27 到 28 GHz 和 37 到 40 GHz 频带。一些初步分配的频带甚**于 50 GHz。由于存在技术挑战，**批毫米波实施将使用 27 到 28 GHz 频带。尽管 5G 规格提供了很多调制、功率、数据速率选项及其他一些功能，但通常它们大多与接收通道 LNA 关系不大。此元器件必须胜任一项任务。

即捕获并放大来自天线且被噪声破坏的微弱信号，同时尽量减少增加的噪声。因此，仔细研究 LNA 本身，而不是过度关注持续演化的更高层面的规格问题，才是明智之举。要在*频带内实现可接受的运行，主要的 LNA 规格是噪声系数 (NF)，即由 LNA 增加的固有噪声量。对于 5G，尤其是接近 28 GHz 频带时。

NF 通常需要介于 1 到 3 dB 之间，某些情况下，再高 1 到 2 dB 的噪声也是可以接受的。通常需要介于 15 到 20 dB 之间的增益，才能将收到的信号升压到可被后续的放大器、滤波器和数字化正确处理的范围。非常后，1 dB 输出压缩点（被称为 OP1 或 P1dB）和输出三阶交调点 (OIP3) 的线性度相关系数。

分别需要至少为 -20 和 -35 dBm。在更低的 5G 频带，对于 OP1 和 OIP3 的这些要求则不那么严格，其中 OP1 为 -20 dBm 范围内，OIP3 为 -10 到 -15 dBm。请注意，负值越大，表示性能越高（-25 dBm 要优于 -20 dBm），但很多规格书会省略负号，这样会造成混淆。

从功能上看，LNA 只是很“简单”的放大器，具有非常基本的框图 - 通常只是一个放大器三角形 - 而且只需要几条封装引线（通常是 6 到 8 条）。这种简化设计的结果是，它们的封装很小，每侧的尺寸约为 1 到 2 毫米，很多封装的尺寸甚至更小。许多高性能 LNA 专为几 GHz 的低频率（例如 2.4 GHz 和 5 GHz 频带）量身定制。

但它们不符合 5G 前端的严格要求。由于硅基 LNA 似乎已经达到它们的性能极限，因此各厂商纷纷使用更新的半导体材料和工艺来满足多种 5G 性能规格的严格要求。即使在较低的 5G 频带，标准硅也不具备足以满足 5G 要求的低噪声系数和高 OP1/OIP3 等级，因为它的发送和接收信号电平要低于现有的无线标准。

由于这些原因，供应商在基于 SiGe、SOI 和砷化镓 (GaAs) 材料的新工艺的研发和量产方面投入巨资。因为这些新工艺可提供更高的电子迁移率、更小的几何尺寸和更少的泄漏。例如，Infineon Technologies 的 BGA8U1BN6 LNA 采用 SiGe 工艺，噪声系数仅为 1.6 dB，其 OP1 介于 18 到 22 dBm 之间。

OIP3 介于 10 到 15 dBm 之间。它在 4 到 6 GHz 的频带运行，增益为 13.7 dB。此外，BGA8U1BN6 还提供了省电功能，激发此功能后，它可以进入旁通模式。只需要将输入信号传递到输出便可，插入损耗仅为 7.5 dB（图 1）。当接收的信号强度较高时，此功能非常有用，因为它既能防止下一级过载。

还能将 2.8 伏电源的 LNA 供电电流从大约 20 毫安 (mA) 减小至大约 100 微安 (μA)，实现大幅的能耗节省。Infineon Technologies 的 SiGe BGA8U1BN6 LNA 包含旁通模式，此模式将 LNA 从信号路径中剔除。这样既减小了增益，防止后续各级出现过载和饱和，同时还降低了电流要求。