全国uPG2163T5N/CKRF6163XS03批发-深圳同禄德

深圳同禄德鑫主营产品有:低噪放LNA,低噪音放大器LNA,射频芯片SX1278IMLTRT,射频开关CKRF6163XS03-C2，LNA CKRF3509MM34-C2B等多种型号电子元器件,经过多年的发展,市场主要负责地区有：深圳,华南,广东及全国地区。公司业务范围已覆盖无线、蓝牙、音频、智能抄表、智能家居、门禁系统等领域,是工业类、消费类电子产品生产厂家的供应商。

藉由减小工作电流实现 OIP3 相对频率的变化（左侧）和 P1dB 性能相对频率的下降（右侧）。在为 5G 选择合适的 LNA 之后，要实施 5G 前端设计，还需要考虑一些注意事项和通融措施，以便让 LNA 发挥非常大效用。随着工作频率跨越 5 GHz、10 GHz，除了 LNA 自身之外，还需要考虑五个重要因素。

选择 PC 板材料 - 在千兆赫范围内，LNA 输入和输出的传输线路损耗是一个重要因素。在输入端尤其如此，因为输入端的传输线路损耗会降低可实现的非常大信噪比。还会增大 LNA 的输出噪声。由于大多数设计中的传输线路都是作为带状线制作到 PC 板本身，因此电路板必须由低损耗的介电材料制成。

仅仅使用通用的 FR4 PCB 层压板不足以保证这一点，因此供应商提供了多种替代材料和层压材料。其中一种广泛使用的电路板是在 FR4 核心上放置一种特殊的层压材料，使传输线路具有稳定的损耗系数，并具有 FR4 加强板的基本强度。请记住，在这些频率下，必须将 PC 板视为电路设计中的另一个无源“元器件”。

具有所有其他无源元器件一样的寄生效应。此外，还必须考虑一些细节问题，例如电路板主要特征的温度系数及其寄生效应。高性能 PC 板材料的供应商会提供这些数据。选择电容器 – 对于输入和输出匹配电路，必须使用高 Q 值电容器，以降低流入和流出 LNA 的噪声系数。

低 Q 值元器件会导致噪声系数降级 0.2 dB 到 1 dB 不等。广泛使用的 NPO 电容器具有较低的 Q 值和较高的损耗，因此应避免使用。陶瓷电容器具有非常高 Q 值，但它们价格昂贵。依靠性能和成本分析，可以找到一种满意的折中方案。电源旁路 - 这一点虽然众所周知，但经常被忽视，因此值得再三强调。

必须细致、周到地在 IC 和其他位置实现直流电源旁路，以确保稳定、一致的高频性能。所选的旁路电容器在所需的频率下应具有非常低阻抗，以实现非常高的去耦性能。要进行高频去耦，1000 皮法 (pF) 的电容器并不是一个合适的选择。在 5 GHz 频率下，1000 pF 电容器的自谐振频率会让它看起来像个电感器。

因此实际上可能与去耦的目的背道而驰。相反，应在靠近 LNA 的位置放置一个具有较小电容（通常小于 10 pF）的电容器。此外，设计中还应包含采用 1000 pF 与 0.01 μF 电容器并联组合的传统低频去耦功能。这些电容器不需要置于 LNA 的附近。输入和输出匹配 - 尽管很多 LNA 的输入和输出具有 50 Ω 的阻抗。

但有些 LNA 并非如此。即使它们具有 50 Ω 的阻抗，驱动 LNA 的电路和 LNA 输出所驱动的电路也可能不具备 50 Ω 的阻抗。因此，必须使用史密斯圆图创建匹配的电路，并使用 S 参数确立适当的匹配选项。同样，在 5G 频率下使用的无功无源元器件（电感器和电容器）。

会不可避免地产生各种类型的寄生效应：内部、附近的元器件上以及 PC 板上。设计人员应当做到三点：选择为在这些频率下抑制寄生效应而设计的匹配元器件；确保在贴装元器件时将不可避免的寄生效应充分特征化；以及使用这些值对匹配电路进行建模并据此调整标称值。