郑州低噪放CDK经销商-低噪放/LNA厂家-深圳同禄德鑫
深圳同禄德鑫主营产品有:射频开关、射频芯片、低噪放LNA、低噪音放大器LNA、一级放大低噪放等多种型号电子..河北SKY13411-374LF/CKRF2164XS03厂家-深圳同禄德鑫
深圳同禄德鑫主营产品有:低噪放LNA,低噪音放大器LNA,射频芯片SX1278IMLTRT,射频开关CKRF6163XS03-C2,LNA ..石家庄SKY13320-374LF/CKRF2409XS03深圳同禄德鑫
同禄德鑫商贸主营产品有:射频开关、低噪放LNA、低噪音放大器LNA、一级放大低噪放等多种型号电子元器件,经..芜湖市低噪音放大器CKRF3509MM34-C2B工厂-射频开关公司-深圳同禄德鑫
深圳同禄德鑫主营产品有:射频开关、射频芯片、低噪放LNA、低噪音放大器LNA、一级放大低噪放等多种型号电子..安徽省射频开关CKRF2406XS03-C2公司-低噪放LNA批发商-深圳同禄德鑫
深圳同禄德鑫主营产品有:低噪放LNA,低噪音放大器LNA,射频芯片SX1278IMLTRT,射频开关CKRF6163XS03-C2,LNA ..重庆射频开关CKRF2214MM66-C2厂-射频开关CDK经销商-同禄德鑫商贸
同禄德鑫商贸主营产品有:射频开关、低噪放LNA、低噪音放大器LNA、一级放大低噪放等多种型号电子元器件,经..合肥uPG2408TB/CKRF2179MM26CDK经销商-深圳同禄德鑫
深圳同禄德鑫主营产品有:射频开关、低噪放LNA、低噪音放大器LNA、一级放大低噪放等多种型号电子元器件,经..安徽uPG2214TB/CKRF2179MM26批发商-深圳同禄德鑫
深圳同禄德鑫主营产品有:射频开关、射频芯片、低噪放LNA、低噪音放大器LNA、一级放大低噪放等多种型号电子..上海uPG2179TB/CKRF2179MM26代理-深圳同禄德鑫
深圳同禄德鑫主营产品有:低噪放LNA,低噪音放大器LNA,射频芯片SX1278IMLTRT,射频开关CKRF6163XS03-C2,LNA ..华南低噪放LNA-低噪音放大器LNA代理-深圳同禄德鑫
深圳市同禄德鑫商贸有限公司主营产品有低噪音(声)放大器/LNA代理,SX1278IMLTRT、CDK CKRF7512CK24 -C1-J..深圳同禄德鑫主营产品有:低噪放LNA,低噪音放大器LNA,射频芯片SX1278IMLTRT,射频开关CKRF6163XS03-C2,LNA CKRF3509MM34-C2B等多种型号电子元器件,经过多年的发展,市场主要负责地区有:深圳,华南,广东及全国地区。公司业务范围已覆盖无线、蓝牙、音频、智能抄表、智能家居、门禁系统等领域,是工业类、消费类电子产品生产厂家的供应商。
连接过程部分有螺纹式和法兰式供选择,也可根据特殊需求定制。接线盒的外壳是由铝合金材质铸成,厚度完全符合防爆等级要求,内部装有可见的电子模块,接线和调试都很方便。整体的结构简单,安装使用方便,使用性能稳定可靠,几乎免维护这样就有效地提高工作效率。
射频导纳物位开关作为一款常用的物位测量仪表。它的具有体型小、结构简单、安装调试方便、稳定性强等优势,通常被应用于石油、化工、电力、药、食品等领域。在小功率无线产品射频开关电路设计中,我们常常选用CMOS,GaAs,SOI等工艺的射频器件,其外围电路很简单。
通常只需要配合电阻电容就可以正常工作。但是在大功率场合,设计工作就变得复杂起来,通常需要使用PIN Diode射频开关。无线时代在近期的一款大功率无线设备研发过程中,就使用了Skyworks的SKY12207-478LF PIN Diode开关,并为其设计了合适的驱动电路,通过调试,已经可以正常工作。
基于PIN Diode射频开关的大功率无线设备调试,SKY12207-478LF主要特征高功率,CW (Continue WVe)50W,峰值功率300W,低插入损耗,典型值0.4dB,高隔离度,42dB@2.6GHz,适用于TD-SCDMA,WiMAX,LTE基站等设备,SKY12207-478LF工作原理概述。
我们暂且不对SKY12207-478LF的细节工作原理做深入的探讨。下图是SKY12207-478LF的等效框图,其导通状态由加在ANT端的5V及TX/RX端的28V/0V偏置电压来决定,例如,处于发射状态下,TX设置为0V,而RX端设置为28V。基于PIN Diode射频开关的大功率无线设备调试。
KY12207-478LF的偏置电压为28V,这与功率管LDMOS的供电电压一致。Datasheet中给出了SKY12207-478LF的参考设计电路及对应的真值表。基于PIN Diode射频开关的大功率无线设备调试那么,只要构建出符合真值表的驱动电路,就可以使SKY12207-478LF正常工作。
PIN Diode射频开关驱动电路设计这个产品是无线时代网站之前提到过的**大功率射频功率放大器,驱动电路设计分析过程如下:来自收发判别电路的逻辑电压为5V,用5V的逻辑电压实现对28V偏置电压的控制,MOS管是非常佳选择,同样的端口(TX/RX/RXBIAS)可以提供28V供电。
也可以实现对地短路,同时还可以可以提供合适的偏置电流符合真值表的控制逻辑Vds>50V,Ids>100mA,尽量选用封装尺寸较小的器件,我参照了DCDC的开关电路,设计了如下的驱动电路,原理图中PIN Diode射频开关型号为SKY12210-478LF,与SKY12207-478LF pin-to-pin。
其中,来自收发判别电路的TX_EN与RX_EN逻辑电平总是相反的,这样,Q3,Q5不能同时导通,Q6,Q8也不能同时导通。当然这种方法有一定的局限性,开关频率过高时可能会出现问题,很多电源芯片在这方面都做了特殊处理,本设计不做考虑。驱动电路中使用了四颗NMOS与两颗PMOS。
都是Vishay公司的SOT-23封装的MOS管。当来自收发判别电路的TX_EN为“1”时,RX_EN为“0”,Q5导通,Q4截止,Q3的Vgs=0,Q3截止,对应的RX28网络对地短路,即TX与RXBIAS端口均为0V;Q8的Vgs=0,Q8截止,Q7导通,Q6的Vgs<0,Q6导通,对应的TX28网络连接至28V电源。
即RX端口为28V,符合真值表。当来自收发判别电路的TX_EN为“0”时,RX_EN为“1”时,MOS管导通/截止状态与上述过程相反,同样满足真值表。PIN Diode射频开关驱动电路调试,在确定收发判别电路可以正确地给出逻辑电平之后,发现Q8特别容易损坏。
很容易想到一定是有较大的电流流过Q8,才会这样。设计过程中已经仔细确认过,Si2308完全可以胜任1A以上的电流,而TX26与RX28网络都有限流电阻,流过Q8的电流不可能**过1A,那么单独的可能就是Q6导通了!TX_EN为“0”时,RX_EN为“1”时,Q7正确地处于截止状态。